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技術資訊

漢辰科技緊密與客戶溝通合作,致力於技術投入與研發,歷年來贊助離子植入領域國際研討會,並將技術研發成果,陸續以文獻發表於離子植入科技國際研討會,後續並收錄在電機電子工程師學會刊物;同時,整合研發技術成果運用在下世代機台產能、良率與品質的改進,陸續推出 iStar、 iPulsar Plus 、以及 iBlazar 系列產品,也將技術能量內化在智慧財產權的申請,在多國陸續取得專利,為客戶提供更完善的保護。

技術文獻

Study on the Influence of Implant Dose Rate and Amorphization for Advanced Device Characterization

The Influence of Dose Rate on Ultra Shallow Surface Dopant Profile

Novel implantation mode application in FinFET structure

Integrated divergent beam for FinFET Conformal Doping

Phosphorus Redistribution Caused by Electrical Deactivation of Phosphorus at Low Temperatures